Siliziumkarbidist ein anorganischer Stoff mit der chemischen Formel SiC. Es wird aus Rohstoffen wie Quarzsand, Petrolkoks (oder Kohlenkoks) und Sägemehl (Salz wird zur Herstellung von grünem Siliziumkarbid benötigt) durch Hochtemperaturschmelzen in einem Widerstandsofen hergestellt. Siliziumkarbid ist ein Halbleiter, der in der Natur in Form des äußerst seltenen Minerals Moissanit vorkommt. Seit 1893 wird es als Pulver und Kristalle zur Verwendung als Schleifmittel usw. in Massenproduktion hergestellt. Unter den nichtoxidischen High-Tech-Feuerfestrohstoffen wie C, N und B ist Siliziumkarbid das am weitesten verbreitete und wirtschaftlichste Material. der als Diamantsand oder feuerfester Sand bezeichnet werden kann. Chinas industriell hergestelltes Siliziumkarbid wird in schwarzes Siliziumkarbid und grünes Siliziumkarbid unterteilt, bei denen es sich beide um sechseckige Kristalle handelt.
Inhalt
„Hohe Härte“: Die Härte von Siliziumkarbid ist nach Diamant und kubischem Bornitrid die zweitgrößte und belegt unter allen Keramikmaterialien den dritten Platz. Es verfügt über eine hervorragende Verschleißfestigkeit, kann Oberflächenverschleiß widerstehen und die Lebensdauer verlängern.
„Hohe Festigkeit“: Siliziumkarbid hat eine hohe Streckgrenze und Zugfestigkeit, hält hohen Belastungen und hohen mechanischen Belastungen stand und eignet sich für den Einsatz in Umgebungen mit hoher Belastung und hoher Belastung.
„Hohe thermische Stabilität“: Siliziumkarbid hat eine ausgezeichnete thermische Stabilität, einen kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten, eine hohe Wärmeleitfähigkeit und kann Belastungen und Thermoschocks bei hohen Temperaturen standhalten. Seine extreme Betriebstemperatur kann über 600 °C erreichen, viel höher als die 300 °C von Siliziumgeräten.
„Hohe Temperaturbeständigkeit“: Siliziumkarbid hat eine große Bandlücke und kann bei höheren Temperaturen ohne nennenswerten Leckstrom betrieben werden.
„Chemische Stabilität“: Siliziumkarbid weist eine extrem hohe Toleranz gegenüber den meisten Säuren, Basen und Oxidationsmitteln auf und kann seine Leistung auch in rauen chemischen Umgebungen aufrechterhalten.
„Hohe Elektronensättigungsrate“: Die Elektronensättigungsrate von Siliziumkarbid ist doppelt so hoch wie die von Silizium, wodurch Siliziumkarbid-Geräte höhere Betriebsfrequenzen und Leistungsdichten erreichen können.
„Hohe elektrische Durchschlagsfeldstärke“: Siliziumkarbid hat eine hohe elektrische Durchschlagsfeldstärke, die es dem Gerät ermöglicht, Hochspannungsbetrieb standzuhalten, wodurch Volumen und Gewicht reduziert werden.
„Supraleitung“: Bei niedrigen Temperaturen hat Siliziumkarbid supraleitende Eigenschaften und kann zur Herstellung supraleitender elektronischer Geräte verwendet werden.
Halbleiterindustrie: Siliziumkarbid ist aufgrund seiner großen Bandlücke, hohen Elektronenmobilität und hohen elektrischen Durchbruchfeldstärke zu einem idealen Material für die neue Generation leistungselektronischer Geräte geworden. Siliziumkarbid kann bei höheren Temperaturen und in raueren Umgebungen stabil arbeiten und so die Zuverlässigkeit und Effizienz von Geräten erheblich verbessern. Insbesondere in den Bereichen Elektrofahrzeuge, Hochgeschwindigkeitszüge, Luft- und Raumfahrt usw. führt der Einsatz von Siliziumkarbid-Leistungsgeräten zu einer technologischen Revolution.
Fortschrittliche Keramikherstellung: Aufgrund seiner hohen Festigkeit, Verschleißfestigkeit und hohen Temperaturbeständigkeit ist Siliziumkarbid zu einem Schlüsselrohstoff in der fortschrittlichen Keramikherstellung geworden. Ob zur Herstellung von Hochtemperaturöfen, verschleißfesten Teilen oder Korrosionsschutzteilen – Siliziumkarbidkeramik hat unvergleichliche Vorteile gezeigt.
„Optoelektronik“: Die einzigartigen optischen Eigenschaften vonSiliziumkarbidLassen Sie es im Bereich der Optoelektronik glänzen. Als hervorragendes UV-Licht emittierendes Material kann Siliziumkarbid zur Herstellung effizienter UV-LEDs und -Laser verwendet werden und wird auch häufig in Lichtquellengeräten wie Natriumhochdrucklampen und Leuchtstoffschirmen verwendet.
